砷化镓霍爾器件

霍爾器件系磁電轉換器件，是半導體磁傳感器中*成熟、産量*大的産品，而砷化镓霍爾器件更是其中的佼佼者。其原理是針對砷化镓《GaAs》材料的特點，應用高能量離子注入方法和新型工藝技術制造的霍爾器件。不但提高瞭(le)器件的抗靜電擊穿能力、線性度和成品率，而且大幅降低瞭(le)生産成本，使砷化镓霍爾器件在性價比及功能方面均優於(yú)傳統的銻化铟和矽霍爾器件，是霍爾器件新一代替代産品。

從性能上看，GaAs霍爾器件有著(zhe)InSb霍爾器件無法比拟的優勢，具有溫度特性優良、輸出電壓性好、輸入阻抗高、底失衡率等到優點，特别更在溫度系數和工作範圍兩項指标上，在優異應用時具有優良優勢，達到******，有些關鍵指标<如器靈敏度>處於(yú)****地位。
高性能GaAs霍爾器件規模化生産的關鍵設備(bèi)是高能量的大型離子注入機，通過對GaAs霍爾器件20多年的研究，在GaAs材料制備(bèi)，器件設計和生産工藝，提高穩定性和可靠性等方面都擁有成熟的技術。特别是在國内**採(cǎi)用高能量離子注入方法，成功生産出高性能GaAs霍爾器件，技術指标優良。

長期穩定性是衡量元器件的重要參數之一，其好壞決定是否有實用價值。本産品通過瞭(le)180℃～190℃度高溫、13500小時的加速老化實驗，器件完好無損，用化學動力學中阿爾赫尼斯議程可計算出，其失效率高達10-7～10-8以上。就國内外現有文獻報(bào)道來看：公司生産的GaAs霍爾器件是唯壹進行過長時間可行性實驗的産品。

通過長(zhǎng)時間可行性實驗得出的結論是：與半導(dǎo)體P-N結器件不同，GaAs霍爾器件是體效應器件，長(zhǎng)時間高溫老化或一定劑量的核輻射對器件靈敏度等性能的影響很小，具有很好的長(zhǎng)期穩定性。