産(chǎn)品詳(xiáng)情 PRO DETAIL
簡(jiǎn)單(dān)介紹:
赫姆霍茲線圈用兩個半徑和匝數完全相同的線圈,将其同軸排列並(bìng)令間距等於(yú)半徑,這種線圈組合稱Helmholtz線圈。用它可以産生極微弱的磁場直至數百Gs的磁場;該線圈,均勻區體積大,使用空間開闊,操作簡便。赫姆霍茲線圈可實現一維、二維、三維組合磁場,可提供交、直流磁場,電流與磁場有很好的線性關系。
詳(xiáng)情介紹(shào):
| 赫姆霍茲線圈産品簡介 |
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用兩個半徑和匝數完全相同的線圈,将其同軸排列並令間距等於半徑,這種線圈組合稱Helmholtz線圈。用它可以産生極微弱的磁場直至數百Gs的磁場;該線圈,均勻區體積大,使用空間開闊,操作簡便。可實現一維、二維、三維組合磁場,可提供交、直流磁場,電流與磁場有很好的線性關系。 适用於各研究所,高等院校及企業做物質磁性或檢測實驗,應用於材料、電子、生物、醫療、航空航天、化學、應用物理等各個學科,其主要用途:産生标準磁場;地球磁場的抵消與補償、地磁環境模拟、磁屏蔽效果的判定、電磁幹擾模拟實驗、霍爾探頭和各種磁強計的定标、生物磁場的研究及物質磁特性的研究。 華鳴儀器在亥姆霍茲線圈磁場發生方面,走在國Ji同行前列。目前相繼開發設計出:圓形、方形、和八邊形亥姆霍茲線圈,同時借助有限元設計工具,開發瞭補償式八邊形亥姆霍茲線圈,将線圈均勻區提高瞭八倍。
用戶在選擇亥姆霍茲線圈時,請根據實驗需要提供磁場(chǎng)強度、均勻區範圍以及均勻度需求,我們可以在*短時間内爲用戶提供詳細的設計方式和配套電(diàn)源的選型。
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| 赫姆霍茲線圈應用領域 |
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● 地球磁場(chǎng)的抵消與補(bǔ)償
● 地磁環(huán)境模拟
● 磁屏蔽效果判定
● 電(diàn)磁幹(gàn)擾模拟實驗
● 産(chǎn)生标準磁場(chǎng)
● 生物磁場(chǎng)的額(é)研究一物質磁特性的研究
● 産(chǎn)生标準磁場(chǎng)
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| 赫姆霍茲線圈使用分類 |
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● 配合磁通計(jì)使用測(cè)量材料磁通量;
● 配合華鳴儀器研制的永磁品質測量儀或磁偏角測量儀可進一步判别材料品質,篩選來料;
● 可根據需求制作水冷型亥姆霍茲線圈:磁場(chǎng)值可上千高斯數量級,滿足客戶(hù)需求;
● 可定制一維、二維、三維方形亥姆霍茲線圈,一般用來産生指定均勻區體積比較大、均勻度比較高, 磁場值在幾個Gs至幾十Gs數量級的磁場。
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一維亥姆霍茲線圈技術參數參考表
| 線圈型号 | 線圈常數(K) | 線圈均勻度對應線圈均勻區域(mm) | 線圈電阻(Ω) | A(mm) | B(mm) | C(mm) | D(mm) | E(mm) | F(mm) |
| FE-HM150 | 0.0162 |
0.1%(16*16*16)、1%(33*33*33) |
83 | 150 | 40 | 180 | 54 | 112 | 17 |
| FE-HM200 | 0.022 |
0.1%(20*20*20)、1%(42*42*42) |
112 | 200 | 60 | 240 | 79 | 120 | 37 |
| FE-HM300 | 0.032 |
0.1%(32*32*32)、1%(63*63*63) |
164 | 300 | 80 | 350 | 129 | 170 | 52 |
| FE-HM400 | 0.04 |
0.1%(48*48*48)、1%(84*84*84) |
210 | 370 | 100 | 430 | 170 | 230 | 可定制 |
| FE-HM500 | 0.05 |
0.1%(60*60*60)、1%(105*105*105) |
266 | 470 | 120 | 530 | 220 | 280 | 可定制 |
| FE-HM600 | 0.06 |
0.1%(72*72*72)、1%(125*125*125) |
318 | 570 | 140 | 630 | 270 | 330 | 可定制 |
| FE-HM700 | 0.07 |
0.1%(84*84*84)、1%(145*145*145) |
371 | 670 | 160 | 730 | 315 | 380 | 可定制 |
| FE-HM800 | 0.08 |
0.1%(96*96*96)、1%(165*165*165) |
423 | 770 | 180 | 830 | 360 | 430 | 可定制 |
| FE-HM900 | 0.09 |
0.1%(96*96*96)、1%(188*188*188) |
474 | 870 | 200 | 930 | 410 | 480 | 可定制 |
| 非标 | 可根據客戶使用要求設計制作(可制作水冷型線圈) | ||||||||
| 備注 |
本表僅作爲參(cān)考數據,實際(jì)線圈标準請聯系銷售經理 |
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FE-MF圓形一維亥姆霍茲線圈

● 線(xiàn)圈内空直徑(jìng)約145mm,線(xiàn)圈外直徑(jìng)約240mm;
● 線圈繞線線徑(jìng)1.5mm,線圈電(diàn)阻3歐姆;
● 線圈輸入電流5A時,對應線圈中心磁場(chǎng)不低於(yú)100Gs;
● 線圈均勻度1%時,對(duì)應線圈中心均勻區域大小優於(yú)40*40*40mm;
● 線圈均勻度0.5%時,對(duì)應線圈中心均勻區域大小優於(yú)32*32*32mm。
FE-3FM150圓形三維亥姆霍茲線圈

● FE-HM150三維亥姆霍茲線圈常數設計爲小於(yú)0.04cm,準確(què)度0.3%
● X線圈有效半徑(jìng)大於(yú)120mm;
● Y線圈有效半徑(jìng)大於(yú)90mm;
● Z線圈有效半徑(jìng)大於(yú)75mm;
● 均勻區(qū)範(fàn)圍0.3%:24mm*24mm*24mm
● 均勻區(qū)範(fàn)圍:1.0%:32mm*32mm*32mm
FE-1000MF一維磁場發生線圈(垂直磁場)

● 線圈規格:邊(biān)長2.400m×2.400mm,骨架採(cǎi)用鋁合金制作(主線圈和輔助線圈各一組);
● 繞制線圈漆包線直徑(jìng):Ø2.0mm,耐溫等級(jí)140°;
● 亥姆霍茲線圈可以左右放置産(chǎn)生水平磁場(chǎng);
● 中心磁場(chǎng)強(qiáng)度:-200uT~200uT;
● 均與區範(fàn)圍:1000mm×1000mm×1000mm,均勻度優於(yú)1.0%;
● 對應磁場(chǎng):6A恒流工作時,磁場(chǎng)大於(yú)2.0Oe,*大磁場(chǎng)條件下可連續使用(空氣流動環境)。
FE-3FM500新型超大均勻區三維亥姆霍茲線圈

● 線圈規格:邊(biān)長2.400m×2.400mm,骨架採(cǎi)用鋁合金制作(主線圈和輔助線圈各一組);
● 繞制線圈漆包線直徑(jìng):Ø2.0mm,耐溫等級(jí)140°;
● 亥姆霍茲線圈可以左右放置産(chǎn)生水平磁場(chǎng);
● 中心磁場(chǎng)強(qiáng)度:-200uT~200uT;
● 均與區範(fàn)圍:1000mm×1000mm×1000mm,均勻度優於(yú)1.0%;
● 對應磁場(chǎng):6A恒流工作時,磁場(chǎng)大於(yú)2.0Oe,*大磁場(chǎng)條件下可連續使用(空氣流動環境)。


